| Näytä edellinen aihe :: Näytä seuraava aihe |
| Kirjoittaja |
Viesti |
JuhaH
Kanta-asiakas
Liittynyt: 04 Huh 2007
Viestejä: 3645
Paikkakunta: Pohjanmaa
|
 Lähetetty: 27.04.2010 18:55 Viestin aihe: |
 |
|
| gate kirjoitti: | 
The power can be change:
1 - adjust voltage the DC/DC converter ( feedback resistor in circuit DC/DC chip and uC )
2 - add uC to calculate new time to switching N-MOS power transistor.
3 - by the Daystate
In first case is safe decrease power. The voltage on capacitor may be over 63V  .
MK4 IS:
R12=3xR20 / (Uc-3)
R12=6.6e5/( Uc-3 )
The discharge peak current in RLC circuit - over 30 A ( 2SK3482 N-MOS transistor has max. 36A - continuous current , 50A@10msec and 70A@1msec at single pulse ).
If you don't have experience in electronic - remains the only authorized service.
Simulation RLC circuit ( R=0.9R, C=2200uF, L=1.6mH, Uc=70V, 65V, 60V, 55V)
Pystyykö tuoata MCT/is tehonsäätöä joku selventämään? Osaako joku tehdä sen? |
Jotenkin ymmärrän asian niin, että joku on listannut erilaisia keinoja säätää tehoa.
1. Säädä DC/DC muuttajan jännitettä (takaisinkytkentävastus, DC/DC ohjain ja kontrolleri)
2. Tätä ei oikein ymmrrä näkemättä ohjaimen rakennetta. Joka tapauksessa tässä viitataan tehokytkimen ajan ohjaamiseen.
3. Daystate (tehdas) voi säätää tehoa
Jäljenpänä todetaan, että keino 1. on turvallinen jos tehoa pitää laskea. Sen jälkeen on joitakin ohjeita asiaan.
_________________
Ei ole sellaista mekaanista ongelmaa, jota tietämättömyys ja raaka voima eivät ratkaise! |
|
| Takaisin alkuun |
|
 |
gate
Kanta-asiakas
Liittynyt: 05 Kes 2008
Viestejä: 316
|
| Lähetetty: 27.04.2010 22:55 Viestin aihe: |
|
|
Joo-o tuo 1 vaihtoehdon selvitys on sen verto hepreaa, että jos joku sen voi suomeksi kääntää nii kut. Ja vielä jos joku osaa tuon tehdä niin että ymmärtää siitä vielä jotakin niin ase kiinni penkkiin ja ihmettelemään 
Näin ohimennen kysyin DS tehtaalta jotta olisiko mitään mahdollisuutta saada sekä 6.35 että 4.5mm ohjelmat + sisäänajo softa. (todennäköisempää varmaan voittaa lotossa?) Jokatapauksessa tiedän että niitä on jonnekkin päin maailmaa jaettu. |
|
| Takaisin alkuun |
|
|
mikan
Ase-alan edunvalvoja
Liittynyt: 23 Maa 2007
Viestejä: 1750
Paikkakunta: Kymenlaakso
|
| Lähetetty: 27.04.2010 23:22 Viestin aihe: |
|
|
| gate kirjoitti: |
The power can be change:
1 - adjust voltage the DC/DC converter ( feedback resistor in circuit DC/DC chip and uC )
2 - add uC to calculate new time to switching N-MOS power transistor.
3 - by the Daystate
In first case is safe decrease power. The voltage on capacitor may be over 63V .
MK4 IS:
R12=3xR20 / (Uc-3)
R12=6.6e5/( Uc-3 )
The discharge peak current in RLC circuit - over 30 A ( 2SK3482 N-MOS transistor has max. 36A - continuous current , 50A@10msec and 70A@1msec at single pulse ).
If you don't have experience in electronic - remains the only authorized service.
Simulation RLC circuit ( R=0.9R, C=2200uF, L=1.6mH, Uc=70V, 65V, 60V, 55V)
Pystyykö tuoata MCT/is tehonsäätöä joku selventämään? Osaako joku tehdä sen? |
Eli tuossa on kyseessä kondensaattorin varauksen vaikutus laukaisutapahtumaan. Tarkemmin konkan jännitteen vaikutus.
Kun ei ole piirilevyä nenän edessä, en hoksaa noiden R12 ja R20 merkitystä.
Samaten tuossa puhutaan ohjaavan fetin maksimiarvoista...
Tuon RCL- piirin simulaatioarvot ovat pelkästään laskennallisia, sillä jokainen kela on itsessään RCL-piiri (R=resistanssi, C=kapasitanssi ja L=induktanssi).
Saattaisihan tuota osatakkin, vaikka metallia en osaakkaan työstää... 
_________________
Suomen ilma-aseharrastajat ry (SIHry), Ilma-aseharrastajien edunvalvoja!
http://www.sihry.fi |
|
| Takaisin alkuun |
|
|
gate
Kanta-asiakas
Liittynyt: 05 Kes 2008
Viestejä: 316
|
|
| Takaisin alkuun |
|
|
|
|
Et voi kirjoittaa uusia viestejä tässä foorumissa
Et voi vastata viesteihin tässä foorumissa
Et voi muokata viestejäsi tässä foorumissa
Et voi poistaa viestejäsi tässä foorumissa
Et voi äänestää tässä foorumissa
|
|
Ohje
Haku
Käyttäjälista
Käyttäjäryhmät
Rekisteröidy
Käyttäjätiedot
Kirjaudu sisään tarkistaaksesi yksityiset viestit
Kirjaudu sisään
